芯片_第(4)页-韦德体育bv1946最新

当前位置：首页 > 韦德唯一官方 > 硅基芯片 > 芯片

产品分类

Product Category

硅基芯片

芯片

查看全部

ZG硅基光延时芯片

更新时间：2024-12-27

型号：ZG

浏览量：909

硅基光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。
了解详情
ZG硅基 7bit 可调光延时芯片

更新时间：2024-12-27

型号：ZG

浏览量：965

硅基 7bit 可调光延时芯片梓冠光电的单片集成多比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产
了解详情
硅基单片集成 7bit 可调光延时芯片

更新时间：2024-12-27

型号：

浏览量：992

硅基单片集成 7bit 可调光延时芯片梓冠光电的单片集成多比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产
了解详情
ZG硅基6 比特光延时芯片

更新时间：2024-12-27

型号：ZG

浏览量：904

硅基6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。
了解详情
ZG硅基单片集成 6 比特光延时芯片

更新时间：2024-12-27

型号：ZG

浏览量：888

硅基单片集成 6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。
了解详情
ZG-VOASOI芯片式高速光衰减器

更新时间：2025-02-17

型号：ZG-VOA

浏览量：894

SOI芯片式高速光衰减器基于硅基载流子色散效应实现高速响应的可调光路衰减，实现多通道VOA器件单片化集成，芯片与多通道光纤阵列和外围驱动电路一体化光电封装，数字化驱动，偏振相关性小，衰减范围大，调节精度高，衰减值稳定，响应时间为纳秒级，可在高速、低时延系统中应用。
了解详情
ZGSOI芯片光电探测器集成度高

更新时间：2024-12-27

型号：ZG

浏览量：957

SOI芯片光电探测器集成度高，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
了解详情
ZGSOI芯片光电探测器

更新时间：2024-12-27

型号：ZG

浏览量：1195

SOI芯片光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
了解详情

共 36 条记录，当前 4 / 5 页首页上一页下一页末页跳转到第页